中山大學晶研中心6吋導電型4H碳化矽單晶國產化獨步全台 技轉助攻產業升級
國立中山大學晶體研究中心晶體研究中心博士後研究員李居安(圖一右)、研究生張晨暘(圖一左)、鄭永旺(圖一中)領先全台學研單位在6吋導電型(n-type)4H碳化矽單晶長晶爐設備、存放材料用坩堝、熱場設計、長晶技術、品質檢驗等國產化，奠定晶體生長快速、穩定性佳、成本低等優勢，透過技轉助攻台灣產業升級，強化全球市場競爭力。
具高度電壓及功率碳化矽散熱性佳，但製作技術門檻高，國內生產商發表生長速率每小時約150至200微米(um)，中山大學國際長、材料與光電科學系教授周明奇表示，晶研中心產出6吋導電型 (n-type) 4H碳化矽SiC單晶，中心厚度19毫米(mm)，邊緣約為14毫米(mm)，生長速率達每小時370微米(um)，「加速晶體生長兼具重複性」，樹立第三類半導體碳化矽前行新里程碑。
周明奇強調，團隊持續調整生長參數、檢驗晶體品質，112年2月確認生長6吋導電型4H碳化矽SiC單晶生長快速、穩定性佳且具重複性，確保未來技轉競爭力及獲利優勢。
展望未來，周明奇表示，團隊著手研發8吋導電型(n-type)4H碳化矽生長設備，持續發展碳化矽晶體生長核心技術，並打造高真空環境開發生長半絕緣碳化矽(SI.-SiC)，自主開發材料、製程、設備等，他強調，每項材料特性需多年驗證，全新及現有材料退場需多重考量。
中山大學晶研中心2004年起積極研發晶體生長設備及相關技術，持續結合醫療、半導體、光學、雷射等產業，並榮獲國科會及教育部高教深耕計畫經費挹注，創新研發生長碳化矽晶體核心技術，領先全台研單位藉由超過攝氏2300度產出大尺寸碳化矽晶體，中心也在立陶宛與拉脫維亞兩地成立研究據點，運用雷射晶體結合立陶宛研究單位及企業開發高功率薄片雷射(TDL)系統，成效亮眼。圖／中山大學提供、文／高培德
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