中山大學晶體研究中心攜手台灣應用晶體 斥資千萬研究氧化鎵單晶塊材

國立中山大學晶體研究中心攜手台灣應用晶體簽訂大尺寸氧化鎵晶體生長專案合作契約書，投入5000萬元研究氧化鎵單晶塊材（Bulk Crystal），目標3年內成功生產產製6吋氧化鎵單晶塊材，助攻半導體材料發展。 

中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇說，延續氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）後，兼具能承受更高電壓與臨界電場，電力損耗僅占矽3400分之1、碳化矽10分之1，材料透明、可導電等特性氧化鎵（Ga₂O₃）成為新興半導體材料，應用電動車、電力系統、風力發電、通訊領域、光電元件、光感、氣體感測器等領域。晶體研究中心曾產出直徑40mm（約1.5吋）氧化鎵單晶塊材，未來3年力求突破關鍵技術，中山大學創新育成中心孵化企業製造電源供應器及電腦控制系統等軟硬體，產出4台6吋及1台8寸碳化矽長晶爐與碳化矽長晶爐。中心現與技轉企業、美國芝加哥大學、賓州大學及荷蘭飛利浦公司合作開發全身正子斷層顯影設備，可望大幅縮短正子與電腦斷層（PET/CT）檢查時間嘉惠病友。圖／中山大學提供、文／高培德

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