國立中山大學晶體研究中心領先全台成立可生產次世代半導體碳化矽(SiC)，成功產出直徑6吋碳化矽晶體塊材，晶體研究中心主任、材料與光電科學學系教授周明奇(圖左)說，研發過程結合中鋼、中碳等企業資源挹注，有助帶動石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等產業轉型升級，112年7月與台灣應用晶體簽訂5年5000萬元技術移轉合作案，攜手生產6吋、8吋導電型(n-type)、半絕緣型(SI.-SiC)4H、6H碳化矽單晶，強化國內半導體材料競爭優勢。
周明奇強調，第三類半導體材料碳化矽晶體是重要國家戰略物資，適用電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域，團隊領先全台學研單位突破晶體生長關鍵，產出6吋導電型(n-type)4H碳化矽單晶，並持續優化品質及生長速度。
研發過程，採用國產電源供應器及電腦控制系統等長晶設備，其中中山大學創新育成中心育成企業打造長晶爐，並透過中鋼、中碳支援坩堝及石墨等隔熱材料，有助改善相關技術。
「除了在第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢，中山大學同步研發第四類半導體氧化鎵(Ga2O3)單晶塊材(Bulk Crystal)」周明奇說，晶體研究中心現有6吋長晶爐，預計9月新增一台6吋與兩台8寸長晶爐，可望進一步導入化工領域，持續助攻本土企業提升產能，強化國際競爭力。圖／中山大學提供、文／高培德
#鮮週報 #中山大學 #晶體研究中心
訪客留言討論