汽車製造業需用第三代半導體材料碳化矽製造難度高，造成全球供不應求，國立中山大學晶體研究中心領先全台大專院校研發晶體生長設備及相關技術，透過逾2200度高溫產出碳矽化矽晶體，獨步全台具備生產6至8吋晶圓設備研究單位，可望帶動國內半導體產業升級，科技部政務次長林敏聰(圖一右一)在科技部工程司司長李志鵬(圖二左二)陪同下南下觀摩，受到中山大學晶體研究中心主任、材料與光電科學系講座教授周明奇(圖一右二)、水下載具研發中心主任王朝欽(圖二右二)、工學院院長范俊逸(圖二右一)等人熱情接待。
「第三代半導體就好比是半導體產業鏈的金字塔頂端，這是台灣目前唯一缺乏的部分！」周明奇表示，台灣晶圓代工技術領先全球，發展5G、電動車等新興科技過程受限碳化矽與氮化鎵晶體產量不足，加上晶體產出技術門檻高且耗費時間，導致國內企業自行研發意願薄弱。
中山大學晶體研究中心近年拜科技部自然司物理學門支持及教育部高教深耕計畫經費挹注，突破技術瓶頸自力研發長晶爐及相關技術，強調台灣設計製造。
「台灣升級半導體產業的過程，中山大學晶體研究中心絕不會缺席！」周明奇表示，第三代半導體新材料牽動全球政經、國防軍事布局，晶體中心落實大學社會責任，致力生產碳化矽晶體核心技術「根留台灣」，加速產業升級，鞏固台灣半導體領先地位。
周明奇說，經濟部提出循環經濟產業創新計畫，加速國內產業升級，並成立高雄循環技術與材料創新專區，擇定路竹、橋頭作為半導體材料生產基地，致力研發新材料。晶體中心計畫攜手2家上市企業開發高純度碳化矽粉末、坩堝及隔熱材料等原物料，並研發碳化矽晶體生長技術及長晶設備，中山技轉廠商負責碳化矽晶體生長及切磨拋，三方朝催生碳化矽晶體生長目標邁進。晶體中心進一步結合材料國際學院，導入化合物半導體原物料合成及晶體生長等課程，培育第三代半導體相關領域專才。圖／中山大學提供、文／高培德
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